买卖IC网 >> 产品目录 >> BSM150GB120DN2 IGBT 模块 1200V 150A DUAL datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BSM150GB120DN2

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 1200V 150A DUAL
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 1200V 150A DUAL
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 2.5 V
在25 C的连续集电极电流 210 A
栅极—射极漏泄电流 320 nA
功率耗散 1.25 KW
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 Half Bridge2
封装
相关资料
属性
链接
代理商 BSM150GB120DN2
BSM150GB120DN2_E3166
BSM150GB120DN2E3256
BSM150GB120DN2F
BSM150GB120DN2F_E3256
BSM150GB170DL
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  • BSM150GB120DN2 参考价格
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